cvd工程师要求高!CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。
影响台阶覆盖性的关键在于气相沉积技术的“绕镀性”。
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